杭州市人民政府印发促进集成电路产业高水平发展的实施建议，意见提到，打造长三角集成电路核心城市，会同宁波市、绍兴市、嘉兴市协同打造环杭州湾集成电路核心产业集聚区。到2025年，集成电路产业规模实现800亿元、冲刺1000亿元，年均增长20%
7月15日，杭州市人民政府印发了《关于促进集成电路产业高水平发展的实施建议》（以下简称“《意见》”），从产业能级倍增、空间布局合理、创造新兴事物的能力提升、平台服务强化、以及产业风险可控等五个方面提出了产业高质量发展目标。
其中，产业能级倍增方面，《意见》指出，到2025年，集成电路产业规模实现800亿元、冲刺1000亿元，年均增长20%；培育营收百亿元企业1—2家、50亿元企业3家以上、10亿元企业10家以上；在设计制造、化合物半导体、半导体核心材料、关键设备及零部件等领域，培育一批“专精特新”中小企业。
创新能力提升方面，到2025年，在人工智能芯片、视觉处理芯片、服务器芯片、车规级芯片、量子计算芯片、类脑计算芯片、化合物半导体等前沿领域形成一批创新成果，集成电路重点企业研发费用占据营业收入比超5%。
为实现上述产业高质量发展目标，《意见》明确了五大重点任务，包括实施高端设计引领行动、实施特色制造提升行动、实施关键材料设备攻关行动、实施平台能级跃升行动、实施长三角协同攻关行动。
（一）实施高端设计引领行动。推进集成电路高端芯片研发计划和产业链协同创新项目，全力发展高端模拟芯片和数模混合芯片。以滨江区、城西科创大走廊、临平区为重点，提升发展射频传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、电源管理、RISC-V、物联网智能硬件、车规级、FBAR滤波器、存算一体等新型专用芯片；创新发展嵌入式系统、存储器、处理器、服务器等高端通用芯片；培育发展类脑计算、边缘计算、量子计算、柔性电子、化合物半导体等前沿技术产品。
（二）实施特色制造提升行动。构建特色工艺芯片制造产线，培育百亿级链主企业。支持采取CMOS、MOSFET等工艺技术，发展IGBT、智能传感器、MEMS、FinFET、半导体激光器、光电器件等产品。支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等化合物半导体项目建设。以钱塘区、萧山区、富阳区、桐庐县、余杭区为重点，支持成熟制程成套工艺芯片制造产线项目。支持城西科创大走廊规划建设高端存储重大项目。
（三）实施关键材料设备攻关行动。以滨江区、钱塘区、富阳区、临安区、萧山区、余杭区、临平区、建德市为重点，支持大尺寸硅片等关键材料的研发攻关；提升光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、功能高分子材料等的自给率和本地化配套率；提高电路测试、分选、超洁净流控系统、半导体外延、化学机械平坦化抛光等设备的研制能力，突破一批关键核心技术。
（四）实施平台能级跃升行动。提升杭州国家“芯火”双创基地、浙江省集成电路创新中心、钱塘芯谷、镓谷射频产业园、临安云制造小镇、杭州集成电路测试服务中心等平台的运营服务水平，促进创新基地、研发平台和产业基地的联动发展。依托骨干企业、科研院所构建中小企业孵化平台，为初创公司可以提供技术开发、信贷融资、市场推广、法律诉讼、知识产权等指导服务。
（五）实施长三角协同攻关行动。探索长三角协同攻关“揭榜挂帅”机制，推动长三角区域芯片、软件和终端企业多方联动，围绕终端系统需求部署开展协同攻关，构建自主可控IP核布局。打造长三角“芯机联动”对接平台，支撑重大应用场景的开发。
此外，《意见》还提出了14个具体措施，并开出一些列优惠政策保障任务的顺利实施。例如，在加大首次流片、关键材料、核心设备和EDA工具的支持方面，最高补助5000万元。
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