东方微电：巨磁阻抗磁传感器原理及使用

  秦智，武汉理工大学资料科学与工程专业博士，研讨方向为磁性资料的力磁特性研讨，宣布SCI一区论文3篇，相关专利1项，肄业期间参加“牛津展望方案”赴英国牛津大学沟通学习。现为东方微电科技（武汉）有限公司巨磁阻抗传感器项目部研发司理，首要担任巨磁阻抗传感器的总体设计及理论仿真核算，参加多项国家及省部重点项目。

  巨磁阻抗效应是指资料的沟通阻抗在外加直流磁场的效果下产生明显改变的现象，使用该效应研发的巨磁阻抗磁传感器具有灵敏度较高、勘探信号频率低、体积小和功耗低一级特色，逐步被使用于长波通讯、无损勘探、力学测验、人体磁场勘探等范畴。本次讲演将首要剖析巨磁阻抗传感器的研讨现状，并介绍了巨磁阻抗传感器的作业原理和特性，一起介绍东方微电部分理论研讨作业：非晶丝作为巨磁阻抗传感器的灵敏元件，在巨磁阻抗传感器的研发中起着及其重要的效果，因而就需要对非晶丝资料的巨磁阻抗效应进行研讨，东方微电根据Jiles-Atherton模型和中频段的电流趋肤效应解析了非晶丝的磁滞回线与巨磁阻抗效应的联系，经过数值核算非晶丝在中频段下的巨磁阻抗效应，并与试验实测趋势符合。根据此可以对非晶丝中频段的巨磁阻抗效应进行数值仿真，对非晶丝的挑选和巨磁阻抗传感器的研发和工程实践具有必定指导意义。